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  • JANSR2N7391
  • Infineon / IR
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  • 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-254-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 400 V Id-连续漏极电流: 22 A Rds On-漏源导通电阻: 210 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 125 C Pd-功率耗散: 250 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 高度: 13.84 mm 长度: 13.84 mm 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 6.6 mm 商标: Infineon / IR 下降时间: 72 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 97 ns 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 120 ns 典型接通延迟时间: 28 ns
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  • J8603
  • 三晶电子
  • 6000
  • 2010+
  • SOP16
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