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JANSR2N7391

  • 品牌:

    Infineon / IR

  • 封装:

    DIP

  • 数量:

    100

  • 备注:

    产品属性属性值搜索类似 制造商:Infineon 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:ThroughHole 封装/箱体:TO-254-3 通道数量:1Channel 晶体管极性:N-Channel Vds-漏源极击穿电压:400V Id-连续漏极电流:22A RdsOn-漏源导通电阻:210mOhms Vgs-栅极-源极电压:20V 最小工作温度:-55C 最大工作温度:+125C Pd-功率耗散:250W 配置:Single 通道模式:Enhancement 高度:13.84mm 长度:13.84mm 晶体管类型:1N-Channel 宽度:6.6mm 商标:Infineon/IR 下降时间:72ns 产品类型:MOSFET 上升时间:97ns 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:120ns 典型接通延迟时间:28ns

  • 批号:

    12

  • 价格:

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