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STW45NM60

发布时间2020-9-1 9:40:00关键词:STW45NM60
摘要

MOSFET N-Ch 650 Volt 45 Amp

产品属性 属性值 搜索类似

制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-247-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 45 A

Rds On-漏源导通电阻: 110 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V

Qg-栅极电荷: 134 nC

最小工作温度: - 65 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 417 W

通道模式: Enhancement

商标名: MDmesh

封装: Tube

配置: Single

高度: 20.15 mm

长度: 15.75 mm

系列: STW45NM60

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: MOSFET

宽度: 5.15 mm

商标: STMicroelectronics

下降时间: 23 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 20 ns

工厂包装数量: 600

子类别: MOSFETs

典型接通延迟时间: 30 ns

单位重量: 38 g

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